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      Flash数据存储原理简要概括(二)

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      Flash数据存储原理简要概括(二)

      发布日期:2018-08-11 作者:水果视频官方下载官网 点击:

         水果视频官方下载水果视频官方下载水果视频官方下载app工厂继续为您概括上一次说道的Flash数据存储原理,这一部分主要是针对NOR Flash而进行的,还有关于Nand Flash的内容,可以在下一次为您说道。

         对NOR Flash而言,在通常情况下,其浮栅不带电荷,则该浮栅场效应管处于不导通状态。浮栅场效应管的漏极电平为高,则表示数据。   

         写入数据时,浮栅场效应管的漏极和控制栅极都会加上较高的写入电压,源极则接地。这样大量的电子从源极流向漏极,形成相当大的电流,产生大量热电子,形成热电子效应,由于电子的密度大,有的电子就到达了衬底与浮置栅极之间的二氧化硅层,这是由于控制栅极加有高电压,在电场的作用下,这些电子又通过二氧化硅层到达浮置栅极,并在浮置栅极形成电子团。即使在掉电的情况下,浮置柵极上的电子团,仍然会长期保留,所以信息能够长期保存(通常来说,这个时间可达10年,现在在对于存储品这一块的问题上,对于信息保持年限的要求一直最求更好,像水果视频官方下载水果视频官方下载水果视频官方下载app工厂是能做到在水果视频官方下载app定制类产品上,保证能存储十年的,保证了您使用的安全性)。由于浮置栅极为负,所以控制栅极为正,在存储器电路中,源极接地,所以相当于场效应管导通,漏极电平为低,即数据被写入。

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         擦除时,源极加上较高的编程电压,控制栅极接地,漏极开路。根据隧道效应和量子力学的原理,浮置栅极上的电子将穿过势垒到达源极,浮置栅极上没有电子后,就意味着信息被删除了。

         由于热电子的速度快,所以写入时间短,并且数据保存的效果好,但是耗电量比较大。每个浮栅场效应管为一个独立的存储单元。组浮栅场效应管的漏极连接在一起组成位线,场效应管的控制栅极连接在一起组成选择线, 可以访问每一个存储单元,也就是说可以以字节或字为单位进行寻址,属于并行方式。因此可以实现快速的随机访问,但是这种方式使得存储密度减低,相同容量时,耗费的硅片面积比较大,因而NOR Flash芯片的价格比较高。

         不管是那种存储品,都是容量越大,速度越快价格越高。像USB2.0水果视频官方下载app就价格不如USB3.0水果视频官方下载app,相信正规水果视频官方下载app工厂都是如此,在更好的用户体验上,以更好的产品以得到用户的认同,在水果视频官方下载app定制产品上为客户得到更大的提升。


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